真空接触器的控制回路应满足下列要求：1)控制电源电压应与厂用电控制系统电压一致，采用直流11V或220V，也可以采用交流220V。专业MSD用熔断器控制电压应不小于额定值的85%，也不应大于额定值110%，分闸回路的控制电压应不超过额定值的120%。2)接触器的最小合闸电压应不小于额定电压的85%，最小跳闸电压也应不小于额定电压的65%。3)熔断器操作完成后，接触器(电保持型接触器除外)的合、跳闸线圈应自动断开合、跳闸回路。4)具有防止接触器多次合跳的“防跳”功能。5)能监控控制电源及跳闸回路、备用设备自动投入回路的完好性。6)事故跳闸及备用设备投入应有明显的信号。7)真空接触器的辅助触头的数量应满足控制和连锁的要求。8)真空接触器宜具有与开关柜的机械防误操作连锁结构。重庆MSD用熔断器根据工程经验，接触器回路的“防跳”功能尤其重要。当开关柜或接触器发生机械故障时发岀合闸命令(即合闸到故障点)，此时如果缺少“防跳”回路或者“防跳”回路不完全，即使发出保护跳闸命令或者手动跳闸命令。

电源侧在电弧燃烧过程中也提供一部分能源。实际经验表明，预期电流最大的情况下，往往并不对应燃弧消耗能量的最大值，然而，最大弧能的条件一般出现在预期电流达到(3~4)I。为开始限流的预期电流值)时。专业MSD用熔断器灭弧的基本原理。熔断器电弧的燃烧与熄灭，取决于弧道区域的游离与去游离的过程，当去游离过程大于游离过程时，电弧将熄灭。高压熔断器熔断且产生电弧时，在弧柱区的高温作用下，介质的分子和原子产生强烈运动，它们之间不断发生碰撞，游离出电子和正离子，即热游离。在电弧稳定燃烧的情况下，弧柱的温度很高，电弧电压和弧柱的电场强度则较低，这种情况下，弧柱的游离作用主要是靠热游离来维持。在发生游离过程的同时，还进行着带电质点减少的去游离过程。重庆MSD用熔断器在稳定燃烧的电弧中，这两个过程处于动平衡状态。去游离的主要方式是复合和扩散。复合是异性带电质点的电荷彼此中和。显然，运动速度较低的带电质点更易于相互接近而复合。因此，设法降低电弧温度，是熄灭电弧的有效措施。

经试算，如果截流值达10A时，振荡电压幅值将达到7kV，约为两倍以下相对地电压。电弧重燃过电压。高频电弧重燃过电压发生的几率较高，过电压幅值也很高。专业MSD用熔断器有相关试验表明，针对6kV系统，捕捉并记录到的过电压高达18.2kV（有效值），如果回路等值电感、电容匹配，理论上讲，更高的过电压也可能发生，只不过彼时电动机的绝缘已损坏，难以捕捉而已。分析高频重燃过电压。苏熔电器可以分析出，负载侧过电压峰值由两部分组成，第一项与负荷侧等值电感中的电流有关，代表了负载侧的磁场能量，第二项相当于第一次高频重燃电弧过零熄灭后负载侧等值电容上的电压，代表了负载侧的电场能量。专业MSD用熔断器第一次高频重燃电弧过零熄灭后，接触器触头之间的恢复电压将提高，在触头间隙还没有达到安全开距的前提下，更容易发生第二次第三次重燃，即极间去游离过程还没有建立足够的介电强度，则更容易发生第二次第三次重燃。所以一定的灭弧时间即触头分离和下一次电流过零这一特定的时间间隔是必要的。

扩散是弧柱内自由电子、正离子逸出弧柱以外，到周围冷介质中去的过程。扩散是由于带电质点的不规则热运动，以及空间电荷的分布不均匀，使电弧中的高温离子由密集的空间向密度小，温度低的方向扩散。专业MSD用熔断器电弧和周围介质的温度差以及离子浓度差越大扩散作用也越强。扩散出来的离子，因冷却而相互结合，成为中性质点显然，如果游离过程大于去游离过程，电弧将继续燃烧，并越烧越旺，如果去游离过程大于游离过程，电弧便越来越小，最后电弧将熄灭。由此分析，熄灭电弧的基本方法是设法冷却电弧，设法加强复合和扩散形成的去游离过程。高压限流熔断器熄灭电弧的基本原理，就是当熔体元件熔化而出现电弧后，迫使电弧深入到周围填料石英砂构成的缝隙中去，根据狭缝灭弧原理，电弧与石英砂紧密接触，使电弧急剧冷却，从而迫使电流急剧下降到零。当预期电流非常大，熔体元件熔化、蒸发、出现间隙及电弧时，这一过程在非常短的时间之内就已经完成，熔体元件在来不及向周围填料石英砂传热的情况下，就已经熔断并形成电弧。

多采用中性点不接地的运行方式，在这种条件下使用阻容吸收器，由于相对地电容值增大，电容电流也将随之大幅度增大，这时需重新考虑中性点接地的接地方式及零序保护的配置。当火力发电厂单机容量为300MW及以上时，高压厂用电系统的单相接地电容电流较大，多采用中性点经低电阻接地的方式，相对于大得多的低电阻接地的阻性电流来说，阻容吸收器电容电流的影响就不那么大了。专业MSD用熔断器所以在高压厂用电系统的中性点采用低电阻接地的接地方式的大容量机组中，采用阻容吸收器作为限制过电压的措施在理论上已经成为了一种可行的措施，但针对不同系统，其具体参数需要进一步的运行测试检验。制过电压的保护措施及过电压保护装置的选针对中性点低电阻接地系统，用于F-C回路的阻容过电压吸收器可以采用不接地系统相同的电容值和电阻值，即可以取相间电容约为0.1~0.5F，相间电阻值约为100~500，相地电容约为0.2~1F，相地电阻值约为50~25002。由于重庆MSD用熔断器单相接地故障时不存在相电压升高为线电压的问题，阻容过电压吸收器宜采用星形接线方式，而不再是传统上适用于中性点非接地系统的“三叉戟”型式。